◆製程溫度可達350°C ◆全自動供酸/補酸/精密配酸。 ◆環控流場式熱酸氣排放。 ◆提供陶瓷遠紅外線及薄膜式加熱選擇。 ◆線上補酸配比監控(option)。 ◆可選配PC Base。
◆適用2”~4”wafer/GaAs/Sapphire。 ◆加熱方式:間接式N2加熱純度高(無污染)。 ◆風量選擇:Sapphire(外延片):大風量 GaAs(外延片):小風量 製程監控:微風量 ◆吹風設計:有上吹及IR加熱烘乾選擇及側吹晶籃底部。 ◆浸泡IPA僅需3~5鐘乾燥。
特性: ◆DC伺服馬達 ◆轉速8000rpm±2rpm ◆加速度5000rpm/ sec2 ◆定量精度±5%
適用製程: ◆顯影/去光阻/蝕刻/有機/去臘機。 ◆有全自動/半自動/手動機種提供選擇。 ◆可選配PC base。
特性: ◆省藥特性 30min/1cc ◆塗佈厚度可調。 ◆旋轉精度±1RPM ◆橫移精度0.05mm UL TRASONIC NOZZLE Thin flux layer deposits only on desired area
◆LED專用自動光阻塗佈製程機。
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