HOTN2Dry
◆適用2”~4”wafer/GaAs/Sapphire。
◆加熱方式:間接式N2加熱純度高(無污染)。
◆風量選擇:Sapphire(外延片):大風量
GaAs(外延片):小風量
製程監控:微風量
◆吹風設計:有上吹及IR加熱烘乾選擇及側吹晶籃底部。
◆浸泡IPA僅需3~5鐘乾燥。
◆適用2”~4”wafer/GaAs/Sapphire。
◆加熱方式:間接式N2加熱純度高(無污染)。
◆風量選擇:Sapphire(外延片):大風量
GaAs(外延片):小風量
製程監控:微風量
◆吹風設計:有上吹及IR加熱烘乾選擇及側吹晶籃底部。
◆浸泡IPA僅需3~5鐘乾燥。