◆製程溫度可達350°C ◆全自動供酸/補酸/精密配酸。 ◆環控流場式熱酸氣排放。 ◆提供陶瓷遠紅外線及薄膜式加熱選擇。 ◆線上補酸配比監控(option)。 ◆可選配PC Base。
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◆適用2”~4”wafer/GaAs/Sapphire。 ◆加熱方式:間接式N2加熱純度高(無污染)。 ◆風量選擇:Sapphire(外延片):大風量 GaAs(外延片):小風量 製程監控:微風量 ◆吹風設計:有上吹及IR加熱烘乾選擇及側吹晶籃底部。 ◆浸泡IPA僅需3~5鐘乾燥。
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