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◆適用2”~4”wafer/GaAs/Sapphire。 ◆加熱方式:間接式N2加熱純度高(無污染)。 ◆風量選擇:Sapphire(外延片):大風量 GaAs(外延片):小風量 製程監控:微風量 ◆吹風設計:有上吹及IR加熱烘乾選擇及側吹晶籃底部。 ◆浸泡IPA僅需3~5鐘乾燥。
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