千謄半導體設備製造開發有限公司

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HOT N2 Dry

◆適用2”~4”wafer/GaAs/Sapphire。
◆加熱方式：間接式N2加熱純度高(無污染)。
◆風量選擇：Sapphire(外延片)：大風量
GaAs(外延片)：小風量
製程監控：微風量
◆吹風設計：有上吹及IR加熱烘乾選擇及側吹晶籃底部。
◆浸泡IPA僅需3~5鐘乾燥。