特性: ◆省藥特性 30min/1cc ◆塗佈厚度可調。 ◆旋轉精度±1RPM ◆橫移精度0.05mm UL TRASONIC NOZZLE Thin flux layer deposits only on desired area
◆適用2”~4”wafer/GaAs/Sapphire。 ◆加熱方式:間接式N2加熱純度高(無污染)。 ◆風量選擇:Sapphire(外延片):大風量 GaAs(外延片):小風量 製程監控:微風量 ◆吹風設計:有上吹及IR加熱烘乾選擇及側吹晶籃底部。 ◆浸泡IPA僅需3~5鐘乾燥。