◆適用2”~4”wafer/GaAs/Sapphire。 ◆加熱方式:間接式N2加熱純度高(無污染)。 ◆風量選擇:Sapphire(外延片):大風量 GaAs(外延片):小風量 製程監控:微風量 ◆吹風設計:有上吹及IR加熱烘乾選擇及側吹晶籃底部。 ◆浸泡IPA僅需3~5鐘乾燥。
◆可同時清洗Aixton(德)/Veeco(美)MOCVD零件。 ◆針對廠區內有多台MOCVD零件清洗設計。 ◆高溫蝕刻製程200°(去除有機金屬氧化物)。 ◆全自動機台操作安全、清洗效率最高、產能最大。
●Wet PSS (Pattern Sapphire Substrate) ●Sidewall Etch/ LBR ◆全自動供酸/補酸/精密配酸。 ◆陶瓷遠紅外線加熱模組(可加熱至600°C) ◆環控流場式熱酸氣排放。 ◆熱酸排再啟動製程2.5小時完成。 ◆自動化機械手臂全程監控。 ◆高溫排放閥選用德製EM-TECHNIK(保固兩年)。